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RFD16N05SM9A中文资料

RFD16N05SM9A图片

RFD16N05SM9A外观图

  • 大小:229.3KB
  • 厂家:Fairchild Semiconductor
  • 描述: Transistor; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N Channel; Drain Source Voltage, Vds:50V; Continuous Drain Current, Id:16mA; On Resistance, Rds(on):0.047ohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:10V; Threshold Voltage, Vgs Typ:4V ;RoHS Compliant: Yes
  • 产品培训模块:High Voltage Switches for Power Processing
  • 标准包装:2,500
  • 类别:分离式半导体产品
  • 家庭:FET - 单
  • 系列:-
  • FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点:标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss):50V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:16A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:47 毫欧 @ 16A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs:80nC @ 20V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds:900pF @ 25V
  • 功率 - 最大:72W
  • 安装类型:表面贴装
  • 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
  • 供应商设备封装:TO-252AA
  • 包装:带卷 (TR)
  • 其它名称:RFD16N05SM9ATR

RFD16N05SM9A供应商

更新时间:2023-01-24 14:58:37
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